STP140NF75 时间：2025/7/22 14:04:29 阅读：4

STP140NF75是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET?技术制造。该器件专为高电流、高效率的功率转换应用设计，例如DC-DC转换器、电源管理模块、电动车辆系统以及工业电源设备。STP140NF75具有低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于减少导通损耗并提高系统效率。其封装形式为TO-220，便于散热并适用于多种功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：75V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：140A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：250W

特性

STP140NF75 MOSFET采用了意法半导体的StripFET?技术，这是一种先进的平面条形场效应晶体管技术，能够显著降低导通电阻并提高电流处理能力。该器件的导通电阻仅为5.5mΩ，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的能效。
　　此外，STP140NF75具有较高的栅极电荷（Qg）值，适用于中低频开关应用，能够在硬开关和软开关条件下稳定运行。其最大漏源电压为75V，最大连续漏极电流可达140A，非常适合用于高功率密度和高效率要求的电源系统。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作，同时具备良好的热稳定性和抗冲击能力。其栅源电压范围为±20V，确保在不同驱动条件下都能可靠导通和关断。
　　STP140NF75还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路等异常工况下提供额外的保护，提高系统的可靠性和安全性。其高耐用性和稳定性使其广泛应用于工业电源、电池管理系统、电动工具、电动车控制器等领域。

应用

STP140NF75广泛应用于需要高电流处理能力和低导通损耗的功率电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、多相电源系统、电机控制器、电池充电器、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率开关电路。
　　由于其高电流能力和良好的热性能，STP140NF75也常用于高性能电源供应器中的主开关器件，例如服务器电源、通信设备电源、太阳能逆变器等高可靠性应用场合。此外，该器件还可用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中，以实现高效的能量转换与控制。
　　在设计中，STP140NF75通常与驱动IC配合使用，以实现高效的开关控制。由于其较低的Rds(on)，在并联使用时可有效降低整体损耗，提高系统效率。同时，其高耐用性和良好的动态性能使其成为高要求功率转换应用的理想选择。