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SIFD15C120F 发布时间 时间:2025/9/4 0:51:16 查看 阅读:14

SIFD15C120F 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率半导体器件,具体属于 IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块类别。该器件专为高效能和高可靠性的功率电子应用设计,适用于工业电机控制、可再生能源系统、电动汽车和电源转换等领域。SIFD15C120F 具有紧凑的封装结构,集成了多个 IGBT 芯片和反并联二极管,提供了高电流承载能力和良好的热性能。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):15A
  最大工作温度:150℃
  短路耐受能力:6μs
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值,IC=15A,Tj=25℃)
  反向恢复时间(trr):约200ns
  封装类型:表面贴装(SMD)
  封装尺寸:根据具体封装类型而定

特性

SIFD15C120F IGBT 模块具备多项显著的技术特性。首先,其高击穿电压(1200V)使其能够适用于中高压功率转换系统,如太阳能逆变器、电动汽车充电器和工业变频器等。其次,该模块的额定集电极电流为15A,能够在较高的工作电流下保持稳定性能,适合中功率应用的需求。此外,该模块采用了先进的沟槽栅极技术,降低了导通压降(VCE_sat),提高了导通效率,同时减少了开关损耗,从而提升了整体系统的能效。
  SIFD15C120F 的热性能表现优异,其内部结构设计优化了热传导路径,使得在高负载条件下仍能保持较低的工作温度,从而提高了器件的可靠性和寿命。模块的短路耐受能力为6μs,能够在突发短路故障时提供足够的保护时间,防止器件损坏,提高了系统的安全性。
  该模块还具备良好的电磁兼容性(EMC),采用了优化的封装设计,降低了开关过程中的电磁干扰(EMI),有助于系统设计者满足相关EMC标准的要求。此外,SIFD15C120F 支持快速开关操作,适用于高频功率转换应用,例如DC-AC逆变器和DC-DC转换器等。其反向恢复时间较短(约200ns),减少了反向恢复损耗,从而提高了系统的动态响应能力。
  从封装角度来看,SIFD15C120F 采用表面贴装(SMD)封装,便于自动化生产并提高组装效率。这种封装形式也具备良好的机械稳定性和热稳定性,适合在恶劣环境下工作。

应用

SIFD15C120F 主要应用于需要中高压和中功率处理能力的电子系统。例如,在工业领域中,它可用于电机驱动器、变频器和伺服控制器等设备,实现对电机的高效控制。在可再生能源领域,该模块适用于太阳能逆变器和风力发电变流器,能够将直流电转换为交流电以供电网使用。此外,在电动汽车领域,SIFD15C120F 可用于车载充电器(OBC)和电驱系统,支持高效的能量转换和管理。
  在电源系统中,该模块可用于不间断电源(UPS)、直流电源供应器和焊接设备等。由于其具备高可靠性和良好的热管理能力,SIFD15C120F 在高要求的工业和汽车应用中具有广泛的应用前景。同时,其优异的开关特性和电磁兼容性也使其成为高频功率转换应用的理想选择。

替代型号

SKM15GB12T4ag, FGH40N120MDA, FF15R12RT4_SIC