型号：RDN080N25
　　制造商：Renesas Electronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.0mΩ @ Vgs = 10V, Id = 40A
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：6800pF @ Vds = 25V
　　输出电容（Coss）：520pF @ Vds = 25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

RDN080N25具备出色的导通与开关特性，使其成为高性能电源系统中的理想选择。
　　首先，该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为8.0mΩ，在高电流应用中可显著减少导通损耗，提高系统效率。这一特性对于大功率DC-DC转换器和服务器电源尤为重要，能够有效降低温升，延长系统寿命。
　　其次，RDN080N25采用了先进的沟槽栅极结构和场截止（Field-Stop）技术，不仅提升了载流子迁移率，还优化了电场分布，从而在保证高击穿电压的同时实现了更低的开关损耗。这使得器件在高频开关应用中表现出色，例如在LLC谐振转换器或PFC电路中，能够实现更高的开关频率而不会导致过热问题。
　　再者，该MOSFET拥有较高的电流处理能力，连续漏极电流可达80A（在25°C下），并支持高达320A的脉冲电流，适用于瞬态负载变化剧烈的应用场景。同时，其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的能量消耗，进一步提升了整体能效。
　　热稳定性方面，RDN080N25的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境，并具备良好的长期可靠性。TO-247封装提供了优异的散热路径，便于安装散热器，增强了功率处理能力。
　　此外，该器件内置体二极管，具有较快的反向恢复特性（trr ≈ 45ns），有助于减少桥式电路中的交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。总体而言，RDN080N25是一款集低损耗、高效率、高可靠性和良好热管理于一体的先进功率MOSFET，广泛适用于现代高效能电源设计需求。

RDN080N25广泛应用于各类高效率、大功率的电力电子系统中。在通信电源领域，它常被用于服务器和基站的AC-DC开关电源中，作为主开关管或同步整流器件，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升电源转换效率。在工业自动化设备中，该MOSFET可用于电机驱动电路，特别是在直流无刷电机（BLDC）控制中，作为H桥电路的功率开关元件，提供高效的能量传输和精确的速度控制。此外，在新能源发电系统如太阳能光伏逆变器中，RDN080N25可用于DC-AC转换阶段的功率级，承担高电压、大电流的切换任务，确保系统在不同光照条件下的稳定运行。它也常见于高功率LED照明驱动电源、电动汽车车载充电机（OBC）以及UPS不间断电源系统中，发挥其在高温环境下仍能维持低损耗的优势。由于其具备较强的抗浪涌能力和良好的热稳定性，RDN080N25还可用于工业加热控制系统、电焊机电源模块以及其他需要长时间连续工作的高可靠性场合。总之，凡是对能效、散热性能和系统可靠性有较高要求的中高压功率转换应用，RDN080N25均是一个极具竞争力的选择。

RDN080N25FP
　　IPW60R080CP
　　STW80N250K5