时间：2025/6/26 23:07:44
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SIF4N65FA 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-220 封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于各种电源管理电路、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
此型号的 MOSFET 在高频应用中表现出色，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4.1A
栅极电荷：28nC
导通电阻：3.6Ω
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
SIF4N65FA 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达 650V，适用于高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻 (3.6Ω)，可减少导通时的能量损耗。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷 (28nC)，适合高频开关应用。
4. 热稳定性良好，在较宽的工作温度范围内 (-55℃ 至 +150℃) 均能保持稳定运行。
5. TO-220 封装易于安装，并提供良好的散热性能。
SIF4N65FA 可用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 电池保护和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. LED 驱动器以及其他需要高效功率管理的场合。
STP4NB65, IRF640, FQP17N65
