SIF-60 时间：2025/12/28 13:30:09 阅读：9

SIF-60是一种硅基光电二极管，常用于光信号检测和转换应用。该器件具有高灵敏度、快速响应时间以及良好的温度稳定性，适用于需要精确测量光强度的系统中。SIF-60属于PIN型光电二极管，其结构设计优化了量子效率与响应速度之间的平衡，能够在可见光到近红外波段范围内实现高效的光电转换。该器件通常采用金属封装或表面贴装形式，具备良好的机械稳定性和环境适应性，适合在工业控制、医疗设备、光学测量仪器等领域使用。SIF-60的工作原理基于内光电效应，当入射光子能量大于半导体材料的带隙能量时，会在PN结附近产生电子-空穴对，在内建电场作用下形成光电流。通过外部电路对该电流进行放大和处理，即可还原出原始光信号的信息。此外，SIF-60还具有较低的暗电流和噪声水平，有助于提高信噪比和检测精度，尤其适用于弱光探测场景。

参数

类型：PIN光电二极管
　　光敏面积：约0.78 mm2（直径1.0mm）
　　波长响应范围：400 nm 至 1100 nm
　　峰值响应波长：960 nm
　　反向电压：最大10 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +100°C
　　暗电流：典型值为1 nA（在5V反偏下）
　　响应时间：上升/下降时间典型值为10 ns
　　电容：典型值为1.5 pF（在5V反偏下）
　　封装形式：金属圆壳或表面贴装型

特性

SIF-60光电二极管具备优异的光谱响应特性，覆盖从可见光到近红外区域，使其能够广泛应用于多种光源检测任务。其峰值响应波长位于960nm附近，恰好匹配许多红外LED和激光器的输出波长，因此特别适用于光纤通信、红外遥控接收、光电编码器等场合。该器件采用PIN结构设计，本征层（I层）较厚，可有效增加耗尽区宽度，从而提升量子效率并降低结电容，有利于高速信号检测。同时，由于载流子主要依靠漂移运动穿过耗尽区，响应速度显著快于普通PN结二极管。
　　SIF-60具有非常低的暗电流特性，在室温及适当反向偏置条件下，暗电流可低至1nA以下，这大大减少了无光照时的背景电流干扰，提高了系统的动态范围和检测灵敏度。对于微弱光信号的采集尤为重要，例如在烟雾探测、生物传感或激光功率监测系统中，SIF-60能够提供可靠的信号输入基础。
　　该器件还表现出良好的温度稳定性，其光电流随温度变化较小，避免了因环境温度波动导致的测量漂移问题。此外，SIF-60的封装结构具备较高的机械强度和密封性，能有效防止湿气和污染物侵入，延长使用寿命。部分型号还配有滤光片或透镜结构，以进一步优化特定波段的选择性和聚焦能力。整体而言，SIF-60是一款性能均衡、可靠性高的通用型光电探测器，适用于要求较高信噪比和长期稳定运行的应用场景。

应用

SIF-60广泛应用于各类光电检测系统中，包括但不限于工业自动化中的位置检测与物体识别，如光电开关、光电编码器和条形码扫描仪；在消费类电子产品中用于红外遥控信号接收模块；在医疗设备中作为脉搏血氧仪或分析仪器中的光强传感器；在科研领域用于光谱分析仪、激光能量计和荧光检测装置。此外，由于其快速响应能力和高线性度，也常被用于光纤通信系统的接收端进行光信号解调。在安全监控系统中，SIF-60可用于主动式红外探测器，配合红外发射管构成光束中断报警装置。其稳定的性能和宽光谱响应能力使其成为许多中低端光电传感应用的理想选择。