时间：2025/6/29 5:59:19
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SIC620ACD-T1-GE3 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 模块，由 Microchip 推出。该模块采用 TO-247 封装形式，专为高效率和高功率密度应用设计。碳化硅技术赋予其卓越的开关性能和低导通电阻特性，使其非常适合高频、高温以及高电压的应用场景。其内部集成了两个反向串联的 SiC MOSFET，支持双向开关操作。
由于其出色的电气特性和热性能，SIC620ACD-T1-GE3 广泛应用于工业电源、光伏逆变器、不间断电源 (UPS)、电动汽车充电系统等领域。
额定电压：1200V
额定电流：50A
Rds(on)：4.9mΩ（典型值）
栅极电荷：80nC（最大值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3L
输入电容：1300pF
漏源极电荷：20nC
开关频率：高达 100kHz
SIC620ACD-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 采用碳化硅材料制造，具备高耐压能力和低导通损耗，能够显著提高系统的效率。
2. 支持高频开关操作，减少磁性元件体积，从而降低整体系统尺寸和重量。
3. 内置快速恢复体二极管，优化了反向恢复特性，进一步降低了开关损耗。
4. 超宽的工作温度范围，允许在极端环境下可靠运行。
5. 热阻较低，有助于提升散热性能，确保长期稳定工作。
6. 高度集成的设计简化了电路布局，并提高了可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于使用现有的 SMT 工艺进行组装。
SIC620ACD-T1-GE3 主要应用于以下领域：
1. 工业电源转换系统，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 光伏逆变器中用于高效能量转换。
3. 不间断电源 (UPS) 中作为核心开关器件。
4. 电动汽车充电桩中的功率调节单元。
5. 电机驱动控制器，尤其是需要高频切换的场景。
6. 各类高功率密度应用，例如焊接设备和感应加热装置。
SIC622ADT2M1H2G
SIC620ABD-T1-G
CSD19539KCS
