时间：2025/5/23 21:08:21
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SIA517DJ-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于需要高效开关和功率管理的电路中。其设计特点包括低导通电阻、高电流处理能力和出色的热性能，适用于汽车电子、工业控制以及通信设备等领域。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-263（DPAK），能够提供卓越的散热性能，同时支持表面贴装技术（SMT），简化了制造流程并提高了可靠性。由于其坚固的设计和宽泛的工作电压范围，SIA517DJ-T1-GE3 成为许多功率转换应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷（典型值）：80nC
总功耗：160W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263（DPAK）
SIA517DJ-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 48A 的连续漏极电流。
3. 良好的热性能，有助于在高温环境下保持稳定运行。
4. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
5. 宽泛的工作电压范围，确保在各种电路条件下的可靠操作。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
7. 支持表面贴装技术，便于自动化生产和大规模制造。
SIA517DJ-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子 - 包括电动窗、座椅调节、雨刷器等电机驱动电路。
2. 工业控制 - 如工厂自动化设备中的开关电源和逆变器。
3. 通信设备 - 用于电信基站的 DC-DC 转换器和电池管理系统。
4. 消费类电子产品 - 例如笔记本电脑适配器和游戏机的电源模块。
5. LED 照明 - 提供高效的功率控制和调光功能。
6. 太阳能逆变器 - 实现太阳能发电系统的能量转换和管理。
SIA517DQ-T1-GE3, IRF540N, FDP55N06L
