时间：2025/8/2 6:51:36
阅读：32
SIA485DJ-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 生产的一款高性能双 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造。该器件封装在紧凑的 8 引脚 SOIC 封装中，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。SIA485DJ-T1-GE3 以其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，并且具备高抗静电能力。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：30V
连续漏极电流 ID：10A（@25°C）
导通电阻 RDS(on)：18mΩ（@VGS=10V）
栅极电压 VGS：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：8-SOIC
安装类型：表面贴装
功率耗散：2.5W
SIA485DJ-T1-GE3 具有以下显著特性：
首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为 18mΩ，确保在高电流条件下也能保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。
其次，该器件采用了先进的 TrenchFET 技术，提供更高的功率密度和更小的芯片尺寸，使其非常适合空间受限的设计应用。
第三，SIA485DJ-T1-GE3 具备优异的开关性能，能够在高频开关条件下稳定运行，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和同步整流等高频应用。
此外，该器件具有良好的热稳定性，封装设计优化了热阻，使得器件在高温环境下依然可以可靠运行。
由于其双 N 沟道结构，SIA485DJ-T1-GE3 可以用于 H 桥、负载开关、电机驱动等多种拓扑结构中，提供灵活的设计方案。
最后，该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，并且具备较高的 ESD 耐受能力，适用于对环境和可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
SIA485DJ-T1-GE3 主要应用于以下领域：
1. **DC-DC 转换器**：由于其低导通电阻和高开关频率特性，SIA485DJ-T1-GE3 非常适合用于降压、升压及反相转换器中的主开关或同步整流器。
2. **电源管理模块**：在便携式设备、服务器电源、电池管理系统中，该 MOSFET 可用于高效负载开关、电源分配和电池保护电路。
3. **电机控制与驱动**：SIA485DJ-T1-GE3 的双 N 沟道结构非常适合构建 H 桥电路，用于小型电机的正反转控制。
4. **工业自动化**：该器件可用于工业控制设备中的功率开关、继电器替代和传感器电源管理。
5. **汽车电子**：由于其高可靠性，SIA485DJ-T1-GE3 也适用于车载电源系统、LED 照明驱动和车载充电器等应用。
Si4812BDY-T1-GE3, FDS4819, IRF7413, Si4406ADY-T1-GE3
