P40NF10L 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。
该器件采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式,能够有效降低热阻并提高散热性能,从而提升整体系统效率。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
导通电阻:9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:16nC(典型值)
输入电容:1370pF(典型值)
总电容:215pF(典型值)
功耗:28W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
P40NF10L 的主要特点是其卓越的电气性能与可靠性:
1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗,提高能效。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用场合。
3. 强大的电流承载能力可以满足大功率电路需求。
4. 具备出色的热稳定性和耐用性,适应严苛的工作环境。
5. 紧凑的封装尺寸有助于节省 PCB 布局空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接加工。
P40NF10L 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 工业设备中用于电机控制和驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
4. 通信设备中的电源管理模块。
5. 各类电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
IRFZ44N
FDP060N10S
STP40NF10
IXFN40N10T2