时间：2025/8/2 9:30:40
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SIA461DJ-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix制造的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能和低功耗设计的电路中。该器件采用先进的TrenchFET技术，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于电源管理和负载开关等应用。
类型：P沟道
最大漏极电流（ID）：-4.1A
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.085Ω @ VGS = -10V, 0.125Ω @ VGS = -4.5V
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSOP
引脚数：8
SIA461DJ-T1-GE3具有多项突出的电气特性，能够满足高可靠性设计的需求。其低导通电阻特性显著降低了功率损耗，提高了系统效率。例如，在VGS为-10V时，导通电阻仅为0.085Ω，而在VGS为-4.5V时也仅为0.125Ω，这使得该器件非常适合用于需要高效能的功率管理应用。此外，该MOSFET的最大漏极电流为-4.1A，最大漏源电压为-30V，具备较强的负载承受能力。器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，从而提供了更大的设计灵活性。
该器件采用TrenchFET技术，这是一种先进的沟槽式MOSFET结构，能够显著提高单位面积内的电流密度，同时减小寄生电容，从而优化开关性能。SIA461DJ-T1-GE3的快速开关特性降低了开关损耗，进一步提高了系统效率。其工作温度范围为-55°C至+150°C，表明该器件能够在极端温度环境下稳定运行，适合工业和汽车电子等严苛环境下的应用。
此外，SIA461DJ-T1-GE3采用8引脚TSOP封装，这种封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局设计。功率耗散能力为2.5W，表明该器件能够在较高的功率水平下保持稳定运行。整体而言，SIA461DJ-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，能够为各种电源管理和负载开关应用提供可靠、高效的解决方案。
SIA461DJ-T1-GE3广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备以及汽车电子系统。其低导通电阻和高效能特性使其成为高效率电源设计的理想选择。在工业自动化和通信设备中，该器件可用于优化电源管理和提高系统能效。在汽车电子应用中，它可用于电池管理系统和车载充电器等模块。
Si4461BDY-T1-GE3, FDC640P, IRF9Z24N
