时间：2025/8/2 6:13:13
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SIA439EDJ-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的高效率开关应用。该器件采用8引脚TSSOP封装，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和良好的热稳定性，适合在需要紧凑设计和高效能的电路中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏极电流（ID）：-4.1A
漏极-源极电压（VDS）：-30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：34mΩ（典型值，VGS = -10V）
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：8-TSSOP
SIA439EDJ-T1-GE3具备低导通电阻特性，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其P沟道结构适用于高边开关应用，例如电源管理和电池供电系统中的负载开关。该MOSFET在VGS为-10V时可提供高达-4.1A的漏极电流，具有良好的电流承载能力。此外，该器件具有较高的热稳定性和较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。采用TSSOP封装形式，不仅节省空间，还提高了在PCB上的集成度，适用于紧凑型电子设备设计。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品制造。
在电气特性方面，SIA439EDJ-T1-GE3的栅极驱动电压范围为±20V，确保了在不同应用环境下的稳定操作。其漏极-源极电压额定值为-30V，适用于多种中低功率电源管理场景。此外，该MOSFET在工作温度范围上支持从-55°C至150°C，适应性广泛，能够在极端环境条件下保持稳定性能。热阻（RθJA）为89.3°C/W，表明其具备良好的散热能力，有助于延长器件使用寿命。
SIA439EDJ-T1-GE3常用于电源管理电路，如DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路以及电源分配系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备的电源控制模块。此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、通信设备和汽车电子系统中，用于实现高效能的电源开关控制。
Si4435BDY-T1-GE3, IRML2803, BUK9M56-30B, FDS6680, TPS2R200
