时间：2025/7/24 18:06:25
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NGTB50N60FLWG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高功率 IGBT（绝缘栅双极晶体管）器件，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。该型号属于场截止（Field Stop）IGBT系列，具有较低的导通压降和开关损耗，适用于如工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等应用领域。
集电极-发射极电压 Vce：600V
集电极电流 Ic：50A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
短路耐受能力：典型值 10μs
栅极阈值电压 Vge(th)：4.5V - 6.5V
导通压降 Vce_sat：典型值 1.75V（Ic=50A, Vge=15V）
开关损耗（Eon/Eoff）：典型值 0.45mJ / 0.65mJ（Ic=50A, Vce=400V）
NGTB50N60FLWG 采用了先进的场截止技术，显著降低了导通压降和开关损耗，从而提高了整体系统效率。该器件具有良好的热稳定性，在高工作温度下仍能保持稳定的性能。此外，其优异的短路耐受能力增强了系统在异常工况下的可靠性。内置的快速恢复二极管（FRD）减少了外部元件数量，简化了电路设计。封装形式为TO-247，便于散热和安装，适用于高功率密度设计。
该IGBT还具备较高的电流密度和较低的电磁干扰（EMI），使其在高频开关应用中表现出色。其栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路设计，降低了系统的复杂性和成本。同时，该器件具有较高的可靠性和长寿命，适用于严苛的工作环境。
NGTB50N60FLWG 主要用于各种高功率电力电子系统，包括但不限于工业电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能光伏逆变器、电动汽车充电设备、家电变频控制系统等。由于其优异的开关特性和高可靠性，该器件在需要高效率和高性能的场合得到了广泛应用。在电机驱动应用中，它可以有效降低能量损耗并提高响应速度；在太阳能逆变器中，该IGBT有助于提升转换效率并减少热量产生；在电动汽车充电系统中，它能够实现快速充电并确保系统的稳定性。
NGTB50N60FBWG, IKW50N60H5, STGY50N60DF2
