时间：2025/8/2 7:16:01
阅读：33
SIA430DJ-T1-GE3 是 Vishay Semiconductors 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效能开关应用。该 MOSFET 采用 8 引脚 DIP 封装（表面贴装），适合在高密度电路板设计中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：最大 4.3mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：8 引脚 DIP（表面贴装）
安装类型：表面贴装
SIA430DJ-T1-GE3 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。该器件能够在高电流条件下稳定工作，最大漏极电流可达 100A，适用于高功率负载应用。此外，该 MOSFET 的高栅源电压（VGS）耐受能力（20V）确保了在各种驱动条件下的可靠性。
该 MOSFET 采用先进的沟槽结构技术，优化了载流子流动路径，从而实现了更低的导通压降和更快的开关速度。这种特性使其非常适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器和同步整流电路。
在热管理方面，SIA430DJ-T1-GE3 的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中保持较低的结温，延长器件的使用寿命。其 125W 的最大功耗能力也表明其具备较强的热稳定性。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有较强的环境适应性，适合在工业和汽车电子等严苛环境中使用。其封装形式为 8 引脚 DIP（表面贴装），方便在 PCB 上安装，并支持自动化装配流程。
SIA430DJ-T1-GE3 MOSFET 主要应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、逆变器以及高电流负载控制电路。由于其优异的导通特性和高电流承载能力，该器件在需要高效能和高可靠性的电源管理系统中表现出色。例如，在汽车电子中，它可以用于控制大功率负载如车灯、电动窗和电动座椅；在工业自动化中，可用于电机驱动和继电器替代方案；在通信设备中，则常用于高效率的电源模块设计。
Si4440DY-T1-GE3, IRF1405, FDS4410, NexFET CSD17551Q5A
