时间：2025/8/2 6:36:50
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SIA408DJ-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于各种高性能电源管理系统。该器件采用 SOT-23 封装形式，便于在高密度 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：800mA
导通电阻（Rds(on)）：1.3Ω @ Vgs = 10V
功率耗散（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT-23
SIA408DJ-T1-GE3 的核心优势在于其采用了 Vishay 的 TrenchFET 技术，这项技术使得 MOSFET 在保持小尺寸的同时实现了非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件的 SOT-23 小型封装形式不仅节省空间，还具有良好的热性能，确保在高电流条件下仍能保持稳定运行。SIA408DJ-T1-GE3 的设计使其在低电压电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等应用中表现出色。
其 ±20V 的栅极-源极电压耐受能力提供了更高的设计灵活性和可靠性，能够在更广泛的栅极驱动条件下安全工作。此外，该器件具有低栅极电荷（Qg），有助于进一步提升开关速度，降低驱动损耗。
在可靠性方面，SIA408DJ-T1-GE3 具有良好的热稳定性和长寿命特性，能够在工业级温度范围内稳定工作，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
SIA408DJ-T1-GE3 广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电源管理模块以及各种低电压高效率电源系统中。
Si2302DS、AO3400A、IRLML2402、FDN304P
