时间：2025/8/2 8:19:12
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SIA400EDJ-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，使其在高电流应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：11A
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
安装类型：表面贴装
SIA400EDJ-T1-GE3 MOSFET采用了先进的沟槽技术，确保了极低的导通电阻，从而减少了功率损耗，提高了效率。该器件的热阻较低，使其在高负载条件下也能保持良好的散热性能。
此外，该MOSFET具有快速的开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其封装形式为PowerPAK SO-8，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用。
该器件还具备较高的耐用性和可靠性，能够在严苛的工业环境中稳定工作。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。
由于其优异的电气特性和热性能，SIA400EDJ-T1-GE3非常适合用于需要高效功率管理的场合，如电池管理系统、电源适配器、电机驱动和负载开关控制等应用。
SIA400EDJ-T1-GE3常用于以下应用领域：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、服务器和电信电源系统。由于其低导通电阻和高可靠性，该MOSFET特别适用于需要高效能和紧凑设计的电子产品。
Si4406BDY-T1-GE3, SIA410EDJ-T1-GE3, FDS4410A
