时间：2025/6/19 13:10:25
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SI9959DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 thermally enhanced PowerPAK? 8x8 封装，适合于要求高效能和散热良好的应用场合。
这种 MOSFET 常用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：78nC
输入电容：2740pF
总耗散功率：130W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-263-3
SI9959DY-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗并提升效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 48A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷和输出电荷。
4. 支持宽范围的工作温度，从 -55°C 到 +175°C，适用于恶劣环境下的应用。
5. 热增强型 PowerPAK 封装设计，确保良好的散热表现。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该器件适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 各种电机驱动电路中的功率开关。
5. 电信及服务器设备中的大电流供电模块。
6. 汽车电子中的逆变器或其他需要高效率和大电流的应用。
SI9960DY, IRF7778PbF, FDP16N60E
