时间：2025/6/20 23:31:18
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SI9958DY是一款来自Vishay Siliconix的N沟道增强型MOSFET，采用TSSOP-6封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及便携式电子设备中的高效能应用。
其耐压能力达到30V，同时具备优异的热性能表现，使其在紧凑型设计中具有显著优势。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总电容：120pF（典型值，输入电容）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TSSOP-6
SI9958DY具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其小型化的TSSOP-6封装也使得它成为空间受限应用的理想选择。
此外，该器件支持快速开关操作，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关环境。由于其卓越的热稳定性和可靠性，该MOSFET在长时间运行的工业或汽车级应用中也能保持良好的性能。
这款MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统。
2. 手机和其他移动设备中的负载开关。
3. DC-DC转换器及POL（Point of Load）转换器。
4. 各类电池供电设备的电源路径控制。
5. 汽车电子系统中的电机驱动和照明控制。
SI9970DY, SI4461DY, BSC012N06NS3
