时间：2025/4/29 16:10:07
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SI9955DY是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用SO-8封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其设计特点是低导通电阻和高效率，在消费电子、通信设备和工业控制等领域有着广泛的用途。
SI9955DY的工作电压范围为30V，能够承受较高的漏源电压，同时具有快速开关特性和较低的栅极电荷，使得它在高频应用中表现优异。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：7.6A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ (典型值，在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：12nC (典型值)
总电容(Ciss)：455pF (典型值)
工作温度范围(Tj)：-55°C to +175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低功率损耗并提升效率。
2. 高速开关性能，适合高频电路设计。
3. 小型化SO-8封装，便于PCB布局和散热管理。
4. 耐热性能强，能够在宽温度范围内稳定工作。
5. 提供了良好的静电防护能力(ESD Protection)，提升了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池保护和负载切换。
4. 电机驱动和逆变器应用。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 消费类电子产品中的电源管理模块。
7. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动控制。
SI4425DY, IRF7832, AO3400
