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HY5DU121622DFP-D43 发布时间 时间:2025/7/22 9:09:09 查看 阅读:4

HY5DU121622DFP-D43 是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于需要高速数据存储和处理的应用场景。该芯片的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),工作频率为400MHz,属于DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)类别。该芯片具有128MB的存储容量,16位的数据宽度,适合用于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品等对性能和稳定性有较高要求的场景。

参数

类型: DRAM
  存储容量: 128MB
  数据总线宽度: 16位
  封装类型: TSOP
  工作电压: 2.3V - 3.6V
  工作频率: 400MHz
  存取时间: 5.4ns
  温度范围: 工业级(-40°C 至 +85°C)
  引脚数量: 54
  芯片使能(CE): 低电平有效
  输出使能(OE): 低电平有效
  写使能(WE): 低电平有效
  刷新周期: 64ms

特性

HY5DU121622DFP-D43 是一款高性能的DRAM芯片,具有高速数据访问能力和稳定的工作特性,适用于多种嵌入式和工业应用。该芯片支持异步操作模式,允许数据在时钟上升沿和下降沿传输,从而提高数据传输速率。其TSOP封装设计不仅减小了芯片的物理尺寸,还提高了信号完整性和抗干扰能力,适合在高密度PCB布局中使用。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其能够在多种电源环境下稳定运行,增强了其适用性。此外,HY5DU121622DFP-D43 提供了54ns的快速存取时间,确保了数据的快速读写能力,适用于需要实时数据处理的应用场景。
  该芯片支持标准的异步控制信号,包括芯片使能(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),便于与各种主控设备(如微处理器、FPGA或ASIC)进行接口。其64ms的自动刷新周期确保了数据在断电前不会丢失,同时也降低了系统设计的复杂性。
  HY5DU121622DFP-D43 的工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适合用于工业自动化、通信设备、汽车电子等要求高可靠性的应用场合。

应用

HY5DU121622DFP-D43 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的电子系统中。常见的应用包括嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络路由器和交换机、视频采集和处理设备、医疗仪器、汽车导航系统等。由于其高性能和稳定性,该芯片也常用于需要长时间运行和高可靠性的工业和通信设备中。

替代型号

IS42S16100A-6T、CY7C1041CV33-10ZS、IDT71V124SA90PFG、MT58LC16A2B4-6A

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