时间：2025/4/27 13:31:06
阅读：6
SI9945BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，非常适合用于高频开关应用、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等场合。
其设计优化了功率密度和效率，能够有效降低功耗并提高系统性能。同时，该型号还具备出色的热稳定性和耐用性，能够在苛刻的工作条件下保持可靠的运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：6nC（典型值）
输入电容：1230pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TOLL
SI9945BDY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低传导损耗，从而提升系统的整体效率。
2. 高电流处理能力，使其适用于大功率应用。
3. 采用 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技术，确保了卓越的开关特性和可靠性。
4. 小巧的 TOLL 封装，节省了 PCB 空间，并支持表面贴装工艺（SMD），便于自动化生产和组装。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种工业环境和汽车级应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SI9945BDY-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动和逆变器控制。
4. 电池管理系统（BMS），例如电动车和储能设备中的保护和充放电管理。
5. 各类消费电子产品的负载开关和保护电路。
6. 工业自动化和通信基础设施中的高效功率转换解决方案。
SIH9945ADY-E3, SIH9945BDY-E3
