时间：2025/7/5 2:44:13
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GMC02CG120F50NT是一款由GeneSiC Semiconductor公司生产的碳化硅（SiC）基MOSFET功率器件。该器件采用先进的碳化硅技术，具备出色的开关性能和耐高温能力，非常适合在高效率、高频应用中使用。碳化硅材料的优异特性使得这款功率器件能够承受更高的电压，并且具有更低的导通损耗和开关损耗。
该型号中的关键参数包括额定电压为1200V，额定电流为50A，采用了TO-247封装形式。它广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及电机驱动等高性能电力电子系统中。
额定电压：1200V
额定电流：50A
最大漏源电压(V_DS)：1200V
最大漏极电流(I_D)：50A
栅极阈值电压(V_GS(th))：2.5V~4.5V
导通电阻(R_DS(on))：80mΩ（典型值，在25°C下）
开关频率：支持高达100kHz
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至+175°C
1. 高效的碳化硅材料制造，提供卓越的热性能和电气性能。
2. 超低导通电阻设计，减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗并允许更高频率的操作。
4. 强大的雪崩能力和短路耐受能力，提高了器件的可靠性。
5. 宽广的工作温度范围，适应极端环境下的稳定运行。
6. TO-247封装易于集成到各种功率模块中，便于散热管理。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 工业电源供应器，例如服务器电源、通信电源等。
2. 太阳能光伏逆变器，用于高效能量转换。
3. 电动车充电站及车载充电器。
4. 高效电机驱动系统，如伺服驱动、变频器。
5. 不间断电源（UPS）系统。
6. 任何需要高效率和高频工作的功率变换场景。
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