时间：2025/5/23 19:19:35
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SI9934BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装（TO-268-7），适合用于需要高效能和散热性能的应用场景。
该 MOSFET 主要用于开关电源、DC/DC 转换器、电机驱动等应用领域，其出色的电气特性和热性能使其成为高性能设计的理想选择。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：40A
导通电阻：1.0mΩ
栅极电荷：80nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：Hot FET? PowerPAK? 8x8
SI9934BDY-T1-E3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中降低功耗并提高效率。
2. 高雪崩能力增强了器件的耐用性。
3. 采用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，能够在小尺寸封装中提供卓越的性能。
4. 高效的散热设计使其非常适合高功率密度应用。
5. 符合 RoHS 标准，并支持无铅焊接工艺。
6. 快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
这些特点使 SI9934BDY-T1-E3 成为多种工业和消费类应用中的理想选择。
SI9934BDY-T1-E3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. ORing 二极管替代方案
4. 电机控制与驱动
5. 电池保护电路
6. 电信和服务器电源模块
7. 工业自动化设备中的功率转换
由于其强大的电流承载能力和低导通电阻，这款 MOSFET 特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
SIH9934DDY-T1-E3, IRF7734, AO6604
