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SI9934BDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/23 19:19:35 查看 阅读:14

SI9934BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装(TO-268-7),适合用于需要高效能和散热性能的应用场景。
  该 MOSFET 主要用于开关电源、DC/DC 转换器、电机驱动等应用领域,其出色的电气特性和热性能使其成为高性能设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.0mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关速度:超快恢复
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:Hot FET? PowerPAK? 8x8

特性

SI9934BDY-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保在高电流应用中降低功耗并提高效率。
  2. 高雪崩能力增强了器件的耐用性。
  3. 采用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术,能够在小尺寸封装中提供卓越的性能。
  4. 高效的散热设计使其非常适合高功率密度应用。
  5. 符合 RoHS 标准,并支持无铅焊接工艺。
  6. 快速开关特性减少了开关损耗,提高了整体系统效率。
  这些特点使 SI9934BDY-T1-E3 成为多种工业和消费类应用中的理想选择。

应用

SI9934BDY-T1-E3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC/DC 转换器
  3. ORing 二极管替代方案
  4. 电机控制与驱动
  5. 电池保护电路
  6. 电信和服务器电源模块
  7. 工业自动化设备中的功率转换
  由于其强大的电流承载能力和低导通电阻,这款 MOSFET 特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。

替代型号

SIH9934DDY-T1-E3, IRF7734, AO6604

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SI9934BDY-T1-E3参数

  • 数据列表SI9934BDY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 6.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI9934BDY-T1-E3TR