时间：2025/5/30 23:07:16
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SI9933BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻、高效率和出色的开关性能，适用于各种电源管理和功率转换应用。其封装形式为 TO-263 (DPAK)，能够提供卓越的散热性能。
该 MOSFET 的典型应用场景包括 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池保护以及工业自动化中的功率管理模块。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：56nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263 (DPAK)
逻辑电平兼容：支持
SI9933BDY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够在高频开关条件下减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗并优化动态性能。
4. 宽工作温度范围，使其适用于严苛环境下的工业和汽车应用。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车级应用中的可靠性。
6. 小巧且高效的 DPAK 封装设计，简化了 PCB 布局并增强了热管理性能。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 汽车电子系统中的电机驱动和电池管理。
3. 工业设备中的负载开关和保护电路。
4. 电信基础设施中的高效功率转换模块。
5. 笔记本电脑和移动设备适配器中的同步整流解决方案。
SIH9933DN, IRF7733TRPBF, FDP5500NL
