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GA1206A150JXEBC31G 发布时间 时间:2025/5/28 10:03:18 查看 阅读:11

GA1206A150JXEBC31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,属于增强型N沟道场效应晶体管。它广泛应用于电源管理、开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能,适用于高电流和高频应用环境。
  该型号中的具体参数编码定义了其封装形式、电气特性以及工作条件等信息,使其在不同应用场景中表现出色。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:47nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA1206A150JXEBC31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功耗并提高整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用,减少开关损耗。
  3. 出色的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  4. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间并支持高密度布局。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于满足现代工业要求。

应用

这款功率MOSFET的主要应用领域包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器,用于升降压电路和负载点调节。
  3. 电机驱动电路,作为功率级输出控制的关键元件。
  4. 电池管理系统(BMS),提供高效的充放电路径。
  5. 可再生能源设备,例如太阳能逆变器中的功率转换模块。
  6. 工业自动化设备及消费类电子产品中的各类功率切换场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP18NF50
  FDP185N
  IXFN18N150T
  AO3400

GA1206A150JXEBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容15 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-