时间：2025/5/28 10:30:03
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SI9926BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，旨在提供低导通电阻和高效率的开关性能，非常适合在电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换等应用中使用。
其封装形式为 ThinSOT23-6L，具有紧凑的外形尺寸和良好的热性能，适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.4A
导通电阻（典型值）：15mΩ
栅极电荷：7nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI9926BDY-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关条件下减少传导损耗。
2. 高效的 TrenchFET 第三代技术，确保了出色的功率密度和效率。
3. 小巧的 ThinSOT23-6L 封装，使其成为紧凑型设计的理想选择。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子产品的需求。
5. 支持高温运行，可适应各种严苛的工作环境。
6. 内置二极管功能，有助于简化电路设计并提高可靠性。
该器件广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 电源管理模块中的同步整流和负载开关。
2. 便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池管理。
3. DC-DC 转换器和 POL（Point of Load）转换器。
4. 电机驱动和小型马达控制。
5. 固态继电器和信号切换。
6. 通信系统中的电源分配网络。
SI9927DP, SI9928DP, IRF7843TRPBF
