时间：2025/6/24 0:44:49
阅读：2
GA0402H821JXAAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载切换等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低系统功耗并提高整体效率。
这款 MOSFET 为 N 沟道增强型器件，支持高侧和低侧开关应用，并且具备良好的热稳定性和可靠性，适合在各种工业及消费电子领域中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：55nC
开关时间：开启延迟时间：9ns，上升时间：4ns，关断延迟时间：15ns，下降时间：5ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，适用于高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小尺寸封装，便于 PCB 布局设计。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内置 ESD 保护功能，提升了器件的抗静电能力。
7. 支持宽范围的工作温度，适应恶劣环境。
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
IRF7843, FDP17N60C, STP55NF06L
