LSP2132C12AD 是一颗广泛应用于电源管理领域的电子元器件芯片,属于功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类型。该器件设计用于高效能开关应用,能够承受较高的电流和电压负载,适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关、电池管理系统等电路中。LSP2132C12AD 采用先进的半导体工艺制造,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,有助于提升整体系统的能效和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):32A
最大漏源电压(VDS):120V
导通电阻(RDS(on)):8.8mΩ(典型值)
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:PowerPAK SO-8
功率耗散(PD):4.3W
漏极电容(Ciss):1120pF(典型值)
LSP2132C12AD 的主要特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流工作条件下,器件的功率损耗显著降低,从而提高系统效率。此外,该MOSFET具备较高的耐压能力,最大漏源电压可达120V,适用于多种中高功率应用。其采用的PowerPAK SO-8封装不仅提供了良好的热管理性能,还具有较小的封装体积,适合高密度PCB布局设计。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V,支持标准逻辑电平驱动,适用于多种控制电路。LSP2132C12AD 还具备良好的热稳定性和抗过载能力,在高温环境下仍能保持稳定运行。其内部结构优化了开关性能,减少了开关过程中的能量损耗,适用于高频开关应用。
此外,LSP2132C12AD 符合RoHS环保标准,不含有害物质,适用于对环保要求较高的电子产品设计。
LSP2132C12AD 广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其高效率和高可靠性的特点,该MOSFET也常用于服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源以及LED照明驱动电路中。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IPB036N15N3, IRF3205, NVTFS5C471NL