时间：2025/6/3 14:31:43
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SI9926BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，主要用于高效能开关和功率管理应用。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，非常适合需要高效率和高可靠性的电路设计。其封装形式为 TSSOP-6（Thin Shrink Small Outline Package），有助于节省 PCB 空间并提升散热性能。
该器件的工作电压范围较广，能够承受较高的漏源电压，并具备较低的栅极电荷特性，使得其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：10nC
总电容：220pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）保证了更小的传导损耗，提高了系统效率。
2. 高速开关能力使其适用于高频 DC-DC 转换器和其他开关模式电源（SMPS）应用。
3. 支持宽范围的工作温度，增强了其在恶劣环境下的可靠性。
4. 小型化封装设计（TSSOP-6）不仅节约空间，还改善了散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备制造需求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 用于电机驱动器中的高速切换控制。
3. LED 驱动器中的负载开关。
4. 各类工业控制和汽车电子系统的功率管理模块。
5. 电池保护电路以及负载均衡电路中的关键组件。
SI9927DY, IRF7407, FDMC880P
