SI9926BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,主要用于高效能开关和功率管理应用。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,非常适合需要高效率和高可靠性的电路设计。其封装形式为 TSSOP-6(Thin Shrink Small Outline Package),有助于节省 PCB 空间并提升散热性能。
该器件的工作电压范围较广,能够承受较高的漏源电压,并具备较低的栅极电荷特性,使得其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:5.8A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:10nC
总电容:220pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on))保证了更小的传导损耗,提高了系统效率。
2. 高速开关能力使其适用于高频 DC-DC 转换器和其他开关模式电源(SMPS)应用。
3. 支持宽范围的工作温度,增强了其在恶劣环境下的可靠性。
4. 小型化封装设计(TSSOP-6)不仅节约空间,还改善了散热性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备制造需求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 用于电机驱动器中的高速切换控制。
3. LED 驱动器中的负载开关。
4. 各类工业控制和汽车电子系统的功率管理模块。
5. 电池保护电路以及负载均衡电路中的关键组件。
SI9927DY, IRF7407, FDMC880P