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SI9926BDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/3 14:31:43 查看 阅读:4

SI9926BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,主要用于高效能开关和功率管理应用。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,非常适合需要高效率和高可靠性的电路设计。其封装形式为 TSSOP-6(Thin Shrink Small Outline Package),有助于节省 PCB 空间并提升散热性能。
  该器件的工作电压范围较广,能够承受较高的漏源电压,并具备较低的栅极电荷特性,使得其在高频开关应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:5.8A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:10nC
  总电容:220pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on))保证了更小的传导损耗,提高了系统效率。
  2. 高速开关能力使其适用于高频 DC-DC 转换器和其他开关模式电源(SMPS)应用。
  3. 支持宽范围的工作温度,增强了其在恶劣环境下的可靠性。
  4. 小型化封装设计(TSSOP-6)不仅节约空间,还改善了散热性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备制造需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 用于电机驱动器中的高速切换控制。
  3. LED 驱动器中的负载开关。
  4. 各类工业控制和汽车电子系统的功率管理模块。
  5. 电池保护电路以及负载均衡电路中的关键组件。

替代型号

SI9927DY, IRF7407, FDMC880P

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SI9926BDY-T1-E3参数

  • 数据列表SI9926BDY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.14W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI9926BDY-T1-E3TR