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CBR02C229C8GAC 发布时间 时间:2025/6/30 21:30:29 查看 阅读:4

CBR02C229C8GAC是一款高性能的存储芯片,属于NAND Flash系列。该芯片采用先进的制造工艺,具有高容量、高速度和低功耗的特点,广泛应用于需要大容量数据存储的场景中,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式设备以及消费类电子产品。
  该型号中的具体参数可以通过其编码来解读:CBR表示产品系列,02表示封装类型,C229代表存储容量(通常为256GB或更高),C8表示I/O电压等级,GAC则可能与工作温度范围或其他特定功能相关。

参数

容量:256GB
  接口类型:Toggle NAND 2.0
  工作电压:1.8V/3.3V
  数据传输速率:高达400MB/s
  擦写寿命:3000次(典型值)
  工作温度:-25°C至+85°C
  封装形式:BGA 169球

特性

CBR02C229C8GAC采用了先进的3D NAND技术,相比传统的平面NAND闪存,能够在更小的空间内实现更高的存储密度。此外,该芯片支持Toggle NAND 2.0接口协议,具备更高的数据传输速度和更低的延迟。
  它还具有以下特点:
  1. 高可靠性:内置ECC(错误校验与纠正)引擎,能够有效减少数据读取错误。
  2. 低功耗设计:在待机和活动模式下均表现出优异的能耗性能。
  3. 广泛的工作温度范围:适用于工业级和消费级应用环境。
  4. 多种容量选项:可满足不同应用场景对存储空间的需求。
  这款芯片非常适合用于对存储性能要求较高的设备,如高清视频录制、大数据分析以及人工智能计算等领域。

应用

CBR02C229C8GAC主要应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD):作为核心存储组件,提供快速的数据访问速度和可靠的性能。
  2. 嵌入式系统:如车载信息娱乐系统、工业控制设备等,需要稳定且高效的存储解决方案。
  3. 消费类电子产品:包括智能手机、平板电脑和数码相机等,这些设备需要大容量存储以保存多媒体文件。
  4. 数据中心:用于服务器和存储阵列中,以支持大规模数据处理和存储需求。
  其卓越的性能和可靠性使其成为许多高端应用的理想选择。

替代型号

CBR02C229C8GAD, CBR02C229C8GAE

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CBR02C229C8GAC参数

  • 数据列表CBR02C229C8GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容2.2pF
  • 电压 - 额定10V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-