时间：2025/5/27 19:09:25
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SI9806DY-T1-E3是Vishay Siliconix推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TrenchFET Gen III技术，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高频、高效率的功率转换应用。其小型化的封装形式（TSOP6）使其非常适合空间受限的设计场景。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：2.7A
最大栅极驱动电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总栅极电荷：8nC
输入电容：980pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SI9806DY-T1-E3采用了先进的TrenchFET工艺，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频DC-DC转换器、负载点电源以及电机驱动等应用。
3. 良好的热稳定性，能够确保在极端环境下的可靠运行。
4. 小型TSOP6封装，节省PCB空间，简化设计布局。
5. 提供优异的电气性能与可靠性，适用于消费电子、工业设备及通信系统等领域。
SI9806DY-T1-E3广泛应用于多种功率管理场景，包括但不限于：
1. 笔记本电脑和平板电脑中的DC-DC转换器。
2. 用于服务器和通信设备的负载点调节模块。
3. 各类便携式电子产品的电源管理单元。
4. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流电路。
5. 汽车电子系统中的电池管理与电机控制。
6. 高效能电机驱动和逆变器设计。
SI9806AL-T1-E3
SIH55N30E-D
IRLZ44N
