时间：2025/5/10 16:06:31
阅读：10
SI9804DY是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TSSOP6封装，具有较低的导通电阻和高开关速度，适合于需要高效能和低功耗的应用场景。SI9804DY广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中。
其设计旨在优化性能表现，确保在高频工作条件下的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（典型值）：25mΩ
总栅极电荷：10nC
导通延迟时间：7ns
关断延迟时间：5ns
工作结温范围：-55℃至150℃
SI9804DY具有非常低的导通电阻，这使得它在功率转换应用中能够减少传导损耗，从而提高效率。
它的快速开关速度有助于降低开关损耗，非常适合高频应用。
此外，该器件还具备良好的热稳定性，在极端温度条件下仍能保持可靠的性能表现。
由于采用了小型化封装技术，这款MOSFET可以有效节省PCB空间，为设计者提供更大的灵活性。
同时，其出色的电气特性使其成为许多高性能电子系统中的理想选择。
SI9804DY适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器
2. 便携式电子设备中的负载开关
3. 消费类电子产品中的电机控制
4. 电池管理系统中的保护电路
5. 各种工业自动化设备中的信号切换
6. 数据通信设备中的高效功率管理模块
这些应用场合都得益于其低导通电阻、高效率及紧凑尺寸等优势。
SI4463DY, SI4481DY, BSC019N06NS
