时间：2025/6/29 1:56:08
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SI9801DY-T1-E3 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，由 Semtech 公司生产。该器件采用 DFN 封装形式，适用于高效率、高频开关电源转换应用。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，可显著提高系统的功率密度和效率。
SI9801DY-T1-E3 的设计旨在满足现代电力电子系统对更高效率和更小尺寸的需求，广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业电源等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：6A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：7ns
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：DFN-8
SI9801DY-T1-E3 提供了多种优越性能特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在高负载条件下的高效运行，减少了传导损耗。
2. 快速的开关速度能够降低开关损耗，从而提升整体系统效率。
3. 内置的 GaN HEMT 技术提供更高的可靠性和耐热性能。
4. 紧凑型封装使其非常适合空间受限的应用场景。
5. 能够承受高 dv/dt 和 di/dt 值，增强了器件在高频开关环境中的稳定性。
这款功率晶体管主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 适配器和充电器设计，尤其是快充技术。
3. 电信基础设施中的高效电源模块。
4. 工业电机驱动和控制电路。
5. 消费电子产品的便携式电池充电解决方案。
SI9912DY-T1-E3
SI8821DY-T1-E3
