时间：2025/4/29 19:07:47
阅读：3
SI9706DY-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的 N 沣道場效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和负载切换应用。其封装形式为 SC-70-6L，体积小巧，适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.4A
导通电阻：125mΩ
栅极电荷：4.8nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
SI9706DY-T1-E3 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，在较低的工作电压下能够显著减少功率损耗。
2. 极小的封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
3. 快速开关性能，可有效降低开关损耗，提高系统效率。
4. 高雪崩能力和鲁棒性，能够在恶劣条件下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的需求。
6. 支持表面贴装工艺，简化制造流程并提升生产效率。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和 DC-DC 转换。
2. 移动设备和便携式电子产品的负载开关。
3. 计算机和服务器中的多相 VRM（电压调节模块）。
4. 消费类电子产品的保护电路和电池管理。
5. 工业控制和自动化系统中的小型电机驱动。
6. LED 照明的调光和驱动电路。
SI9705DY, SI9710DY
