SI9435ADY-T1 是一款由 Vishay 推出的 N 沃夫特沟道功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。该器件专为高效能、低导通电阻和快速开关速度的应用而设计,广泛适用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
这款 MOSFET 使用先进的制程技术制造,具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和优秀的开关性能。其封装形式为 TO-263-3 (DPAK),能够提供良好的散热性能并支持高电流应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:40nC
总电容:1020pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
SI9435ADY-T1 具有非常低的导通电阻,使其非常适合在高效率转换电路中使用。同时,它还具备以下显著特点:
1. 超低导通电阻,从而减少传导损耗,提升系统效率。
2. 极低的栅极电荷与输出电荷,保证了高效的开关操作。
3. 高电流处理能力,允许在大电流条件下稳定运行。
4. 采用 TO-263-3 封装,提供了出色的热性能和电气连接性。
5. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下仍能保持可靠的性能。
SI9435ADY-T1 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率转换级。
2. 电动机驱动器和控制系统中的功率开关元件。
3. 各种 DC-DC 转换器,用于笔记本电脑、服务器及通信设备。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统的功率调节模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换和控制功能。
6. 电动车及混合动力车内的电机控制器和电池管理系统。
SIH438ADY, IRF7777PBF, FDP5500