FDC6320C-NL 时间：2025/7/2 16:21:53 阅读：21

FDC6320C-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用了先进的功率MOSFET技术，主要用于开关和负载驱动应用。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性使其在高频开关电路中表现优异，同时支持高电流负载操作。

参数

型号：FDC6320C-NL
　　类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
　　封装：SO-8
　　最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：15A
　　导通电阻(Rds(on))：7mΩ (典型值，Vgs=10V)
　　栅极电荷(Qg)：19nC (典型值)
　　总电容(Ciss)：1070pF (典型值)
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻(结到环境)：145°C/W

特性

FDC6320C-NL具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 较小的栅极电荷（Qg），支持高频开关操作，适用于开关电源和PWM控制器等场景。
　　3. 快速开关速度，减少开关损耗。
　　4. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
　　5. 支持大电流操作，适合用于电机驱动、负载切换和其他功率管理应用。
　　6. 封装采用标准SO-8，便于安装和散热设计。
　　7. 广泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下仍能可靠运行。

应用

FDC6320C-NL广泛应用于各种功率电子领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和主开关。
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）中的功率开关。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
　　4. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
　　5. 汽车电子设备中的负载切换和保护功能。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　7. 其他需要高效功率转换和开关的应用场景。