SI9434DY是一款由Vishay公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TrenchFET Gen IV技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能、高频开关应用。其封装形式为PowerPAK 8x8,能够提供出色的散热性能和电流处理能力。
该型号在设计上注重降低传导损耗和开关损耗,非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池保护等应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:57A
导通电阻(典型值):1.2mΩ
栅极电荷:125nC
输入电容:2020pF
总功耗:25W
工作结温范围:-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻Rds(on),有效减少功率损耗。
2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
3. 快速开关性能,有助于提升系统效率。
4. PowerPAK 8x8封装,具备优异的热性能和电气性能。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际规范要求。
6. 经过优化的栅极驱动设计,简化了电路设计过程。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. 降压和升压DC-DC转换器。
3. 汽车电子中的负载切换和电池管理。
4. 工业设备中的电机控制和逆变器。
5. 通信设备中的负载开关和电源管理。
6. 电池保护和管理系统(BMS)。
SI9429DY, SI9432DY, IRF7734