SI9434ADY-T1-GE3 时间：2025/5/10 11:51:27 阅读：11

SI9434ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻和高效率性能，适用于高频开关应用和负载切换场景。
　　这款 MOSFET 专为需要高性能和高效能的电路设计而优化，广泛应用于 DC/DC 转换器、同步整流、电池保护以及电机驱动等领域。

参数

型号：SI9434ADY-T1-GE3
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　Vds（漏源电压）：30 V
　　Rds(on)（导通电阻）：2.5 mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
　　Id（持续漏电流）：89 A
　　Vgs（栅源电压）：±20 V
　　Qg（总栅极电荷）：6 nC（典型值）
　　EAS（雪崩能量）：2.27 mJ
　　封装形式：TO-263 (DPAK)

特性

SI9434ADY-T1-GE3 的主要特点是其极低的导通电阻 Rds(on)，这使得它在大电流应用场景中表现出较低的功耗和更高的效率。
　　此外，该器件还具备以下优势：
　　1. 高效的开关性能，得益于低 Qg 和低 Miller 电荷设计。
　　2. 更高的功率密度，适合小型化设计需求。
　　3. 支持高达 89A 的连续漏电流，确保了其在高负载条件下的可靠性。
　　4. 具有出色的热性能表现，能够有效降低工作温度。
　　5. 完全符合 RoHS 标准，并且支持无卤素工艺要求。

应用

SI9434ADY-T1-GE3 主要应用于对效率和功率密度要求较高的领域，包括但不限于：
　　1. 各类 DC/DC 转换器中的同步整流功能。
　　2. 开关电源和负载点转换器中的主开关或同步整流元件。
　　3. 电动工具、机器人和其他便携式设备中的电机驱动控制。
　　4. 笔记本电脑和服务器的电源管理模块。
　　5. 工业自动化系统中的功率级切换和保护电路。
　　6. 电池管理系统中的充放电保护和均衡电路。