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SI9433DY 发布时间 时间:2025/4/30 20:56:19 查看 阅读:31

SI9433DY 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET,采用小型化的 SOIC-8 封装形式。这款器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升效率并减少功率损耗。
  该器件适用于消费电子、工业控制以及通信设备中的电源管理模块。其高可靠性和稳定性使其成为众多工程师在设计高效能开关电路时的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻(典型值):7.5mΩ
  栅极电荷:12nC
  输入电容:1320pF
  开关速度:非常快
  封装类型:SOIC-8

特性

SI9433DY 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通状态下的功耗,从而提高整体系统效率。
  此外,它还具备快速的开关性能,适合高频工作场景,例如 DC-DC 转换器和负载开关。
  该器件的栅极电荷较小,可有效减少驱动损耗,并且具有良好的热稳定性和耐用性。其 SOIC-8 封装也便于表面贴装,简化了生产流程。
  另外,由于采用了 Vishay 的先进制造工艺,SI9433DY 在各种环境条件下均表现出卓越的可靠性。

应用

SI9433DY 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 同步整流电路
  - 电机驱动与控制
  - 消费类电子产品中的负载切换
  - 工业自动化中的功率管理模块
  这些应用得益于 SI9433DY 的高效率和紧凑型封装设计,能够在有限空间内提供高性能表现。

替代型号

SI9428DY, IRFZ44N

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SI9433DY参数

  • 制造商Vishay
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压20 V
  • 闸/源击穿电压+/- 12 V
  • 漏极连续电流5.4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)45 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
  • 下降时间61 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升时间70 ns
  • 工厂包装数量100
  • 典型关闭延迟时间76 ns