SI9433BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化的 TO-263-3L 封装,适用于多种功率转换和开关应用。其设计优化了低导通电阻和快速开关特性,能够满足高效率、高性能的需求。
SI9433BDY-T1-GE3 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池保护等。由于其出色的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 广泛用于消费电子、工业设备及通信领域。
型号:SI9433BDY-T1-GE3
封装:TO-263-3L (DPAK)
工作电压(Vds):30V
连续漏极电流(Id):37A
栅源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):18nC
总功耗(Ptot):25W
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +150°C
SI9433BDY-T1-GE3 具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在 10V 栅极驱动电压下仅为 4.5mΩ,有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度,栅极电荷 (Qg) 仅为 18nC,减少了开关损耗。
3. 高电流处理能力,支持高达 37A 的连续漏极电流。
4. 小型化封装,节省 PCB 空间且便于散热管理。
5. 工作电压范围宽,最大耐压为 30V,适用于中低压应用场景。
6. 出色的热稳定性和可靠性,能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温范围内正常工作。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
SI9433BDY-T1-GE3 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 各类电机驱动和控制系统。
5. 消费电子产品中的充电器和适配器。
6. 通信设备中的电源管理和信号切换。
7. 工业自动化设备中的功率控制模块。
SI9432DY, IRFZ44N, FDP55N06