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SI9433BDY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/5 10:35:29 查看 阅读:19

SI9433BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化的 TO-263-3L 封装,适用于多种功率转换和开关应用。其设计优化了低导通电阻和快速开关特性,能够满足高效率、高性能的需求。
  SI9433BDY-T1-GE3 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池保护等。由于其出色的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 广泛用于消费电子、工业设备及通信领域。

参数

型号:SI9433BDY-T1-GE3
  封装:TO-263-3L (DPAK)
  工作电压(Vds):30V
  连续漏极电流(Id):37A
  栅源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):18nC
  总功耗(Ptot):25W
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +150°C

特性

SI9433BDY-T1-GE3 具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在 10V 栅极驱动电压下仅为 4.5mΩ,有助于降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关速度,栅极电荷 (Qg) 仅为 18nC,减少了开关损耗。
  3. 高电流处理能力,支持高达 37A 的连续漏极电流。
  4. 小型化封装,节省 PCB 空间且便于散热管理。
  5. 工作电压范围宽,最大耐压为 30V,适用于中低压应用场景。
  6. 出色的热稳定性和可靠性,能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温范围内正常工作。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

SI9433BDY-T1-GE3 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
  4. 各类电机驱动和控制系统。
  5. 消费电子产品中的充电器和适配器。
  6. 通信设备中的电源管理和信号切换。
  7. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

SI9432DY, IRFZ44N, FDP55N06

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SI9433BDY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 6.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI9433BDY-T1-GE3TR