SI9430DY-T1 时间：2025/5/16 14:49:20 阅读：25

SI9430DY-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于 SiHF 系列。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高频和高效率的功率转换应用。其封装形式为 TO-252(DPAK)，能够提供卓越的散热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：7.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：20mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：10nC
　　开关时间：ton=12ns, toff=18ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

SI9430DY-T1 的主要特性包括低导通电阻、高效率以及优异的热稳定性。
　　1. 导通电阻低至 20mΩ，这使得其在功率转换过程中能够显著降低传导损耗。
　　2. 开关速度快，栅极电荷仅为 10nC，从而减少了开关损耗并提升了系统效率。
　　3. 工作温度范围宽广，适合于恶劣环境下的工业及汽车类应用。
　　4. 封装形式为 TO-252 (DPAK)，便于安装且具备良好的散热能力。
　　5. 可靠性高，满足 AEC-Q101 标准，非常适合汽车电子领域。

应用

SI9430DY-T1 广泛应用于需要高效功率管理的场景中，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池保护等。具体应用如下：
　　1. 在通信设备中的电源模块，用于提高能效和减少热量产生。
　　2. 汽车电子系统中的负载切换与控制，例如车身控制系统和信息娱乐系统。
　　3. 工业自动化设备中的电机驱动电路，提供稳定的电流输出。
　　4. 笔记本电脑和移动设备的充电接口保护电路，防止过流和短路。