时间：2025/6/30 9:53:04
阅读：24
SI9426DY-T1-E3 是一款来自 Vishay 的 N 沣道开关 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高效率、高密度的功率转换应用。
这款 MOSFET 主要用于 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换、电信和服务器电源、以及电池充电器等领域。其封装形式为 Thermally Enhanced PowerPAK? 1212-8 封装，有助于提升散热性能。
类型：N 沖道 MOSFET
最大漏源电压 VDS：30V
最大栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：45A
导通电阻 RDS(on)（在 VGS=10V 时）：1.2mΩ
总栅极电荷 QG：27nC
输入电容 Ciss：2560pF
封装：Thermally Enhanced PowerPAK? 1212-8
SI9426DY-T1-E3 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 采用 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技术，优化了栅极电荷与导通电阻之间的权衡，从而提升了开关性能。
3. 高额定电流能力，适合高功率密度的应用场景。
4. Thermally Enhanced PowerPAK? 1212-8 封装提供了卓越的热性能和电气性能，同时减小了 PCB 占用空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
SI9426DY-T1-E3 广泛应用于各种高效功率转换场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 负载点 (POL) 转换器，用于服务器、通信设备等。
4. 电池充电器和其他消费类电子产品的功率管理模块。
5. 电机驱动和工业自动化应用中的功率级控制。
SI9427DY, SI9428DY
