时间：2025/4/30 19:45:22
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SI9424DY-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有非常低的导通电阻 (RDS(on)) 和优化的开关性能，非常适合用于高频 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及其他功率管理应用。
该芯片封装形式为小尺寸的 3.3mm x 3.3mm DPAK (TO-252AD)，有助于节省 PCB 空间，同时提供出色的散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：7nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DPAK (TO-252AD)
逻辑电平兼容：是
SI9424DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 28A 的连续漏极电流。
3. 栅极电荷较低，有助于实现高效的开关操作和更快的切换速度。
4. 具有出色的热稳定性，在高结温条件下仍能保持稳定的性能。
5. 支持宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代设计需求。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流电路。
2. 高效 DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 便携式电子设备中的负载开关。
4. 电机驱动器和电池管理系统。
5. 可再生能源应用如太阳能微逆变器和储能系统中的功率级控制。
6. 工业自动化设备中的功率转换和控制模块。
SI9426DY, SI9422DY, IRF7843TRPBF
