时间：2025/5/16 15:01:55
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SI6913DQ-T1 是一款由 Vishay 推出的 N 沯道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用 TrenchFET Gen IV 技术制造。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理等。其封装形式为 PowerPAK SO-8L，能够有效提升散热性能并降低寄生电感的影响。
该器件的工作电压范围较广，同时具备快速开关速度和优秀的热稳定性，使其在高频和高功率密度的应用场景中表现出色。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.0mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1150pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK SO-8L
SI6913DQ-T1 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使得功耗大幅降低，尤其适合高电流应用。
2. 高效的开关性能得益于较低的栅极电荷和输出电荷，从而减少了开关损耗。
3. 使用 PowerPAK SO-8L 封装，提供了优越的热性能和电气连接能力。
4. 宽泛的工作电压范围和较高的工作温度范围，确保了其在严苛环境下的可靠性。
5. 符合易于集成到现代化电路设计中。
SI6913DQ-T1 的典型应用包括：
1. 降压和升压 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
2. 在服务器、通信设备及工业电源中的负载开关。
3. 电动车和混合动力汽车的电池管理系统中的关键元件。
4. 各类电机驱动应用中的功率级开关。
5. 快速充电适配器和其他消费电子产品的高效功率转换模块。
SI6914DQ-T1, SI6915DQ-T1
