时间：2025/6/29 15:14:37
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SI2303CDS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 TSOP-6 封装，广泛应用于便携式设备和空间受限的设计中。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电应用等场景。
该器件支持的工作电压范围较广，具有良好的电气特性和可靠性，同时其紧凑的封装形式进一步优化了 PCB 布局。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻 (Rds(on))：15mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷：9nC
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSOP-6
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，提高了效率并降低了功耗。
2. 快速开关性能，适用于高频应用。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 紧凑的 TSOP-6 封装节省了 PCB 空间。
6. 可靠性高，适用于严苛环境。
1. 便携式电子设备中的 DC/DC 转换。
2. 负载开关，用于管理电路中的电源分配。
3. 电池保护电路，防止过充或过放。
4. 小型电机驱动及控制。
5. 开关模式电源 (SMPS) 中的关键组件。
6. 各类消费电子产品中的功率管理单元。
SI2301DS, SI2302DS, BSS138
