型号：SI926
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20V
　　最大连续漏极电流(ID)：4.1A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：16A
　　最大栅源电压(VGS)：±8V
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ（当VGS=4.5V时）
　　导通电阻(RDS(on))：34mΩ（当VGS=2.5V时）
　　阈值电压(VGS(th))：典型值1.1V，范围0.7V~1.3V
　　输入电容(Ciss)：典型值330pF（在VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz条件下）
　　输出电容(Coss)：典型值170pF
　　反向传输电容(Crss)：典型值50pF
　　栅极电荷(Qg)：典型值8.5nC（在VDS=10V, ID=2A, VGS=4.5V条件下）
　　开启延迟时间(td(on))：典型值5ns
　　关断延迟时间(td(off))：典型值15ns
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23（TSOP-6）

SI926采用了先进的沟道设计与制造工艺，具备出色的低电压驱动能力，尤其适合使用3.3V或更低逻辑电平供电的系统。其在VGS=2.5V时仍能保持较低的导通电阻（仅34mΩ），确保在轻载或低驱动条件下依然拥有良好的导通性能，有效降低传导损耗。器件的输入电容和输出电容均经过优化，使得在高频开关应用中表现出色，能够显著减少动态损耗，提高电源转换效率。由于其超小型SOT-23封装，SI926非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他对PCB空间极为敏感的产品中。该器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气特性，避免因温度升高导致的性能下降。此外，SI926内部结构设计注重抗闩锁效应和静电放电（ESD）保护能力，增强了在复杂电磁环境中的运行可靠性。其快速的开关响应时间（开启延迟约5ns，关断延迟约15ns）使其适用于高速开关应用，如同步整流、负载开关和电机控制。在整个工作温度范围内，阈值电压变化较小，保证了启动特性的可预测性与一致性。通过AEC-Q101认证的部分批次还可用于汽车电子系统，扩展了其应用场景。总体而言，SI926凭借其低RDS(on)、小封装、高效率和高可靠性，成为现代低功耗、高密度电源系统中的理想选择。
　　值得一提的是，SI926在批量生产中具有一致性高、良率稳定的特点，便于大规模自动化贴装与焊接，符合RoHS环保标准，并支持无铅回流焊工艺。这不仅提升了产品的环境适应性，也满足了当前电子产品绿色制造的趋势。同时，该器件的寄生参数控制得当，有利于减少EMI干扰，提升系统的电磁兼容性。对于设计工程师来说，SI926提供了良好的设计灵活性，既可用于单路开关控制，也可并联使用以承载更大电流，适用于多种拓扑结构的设计需求。

SI926广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，例如手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等，用于电池供电路径的通断控制或多电源之间的切换。它也常被用作DC-DC降压或升压变换器中的同步整流开关，替代传统的肖特基二极管以提升转换效率。在电机驱动电路中，SI926可作为H桥结构中的低端开关元件，实现对小型直流电机或步进电机的有效控制。此外，该器件适用于各种负载开关应用，如LED背光驱动、传感器供电使能控制、USB端口电源管理等，能够实现快速启停和低静态功耗。在工业控制系统中，SI926可用于PLC模块、继电器替代方案或信号隔离电路中的电子开关部分。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接连接微控制器的GPIO引脚进行控制，无需外加驱动芯片，从而简化电路设计、降低成本。在通信设备中，SI926可用于热插拔电源控制、总线隔离或电压域切换等功能模块。其小型化封装也使其成为无人机、机器人、智能家居设备等新兴领域中理想的功率开关元件。随着物联网和边缘计算设备的发展，对高效、紧凑型电源解决方案的需求日益增长，SI926凭借其优异的综合性能，在这些高能效、小体积的应用场景中持续发挥重要作用。

SI2302
　　AO3400
　　FS8205A
　　DMG2302U