型号：Si8920AD-ISO
　　通道数：1
　　方向：单向
　　供电电压（VCC）：3.0V 至 5.5V
　　逻辑侧工作电压范围：1.7V 至 5.5V（兼容低电压接口）
　　隔离电压（RMS）：5000 VRMS（符合UL1577）
　　浪涌电压（峰值）：8000 VPK
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　数据速率：最高支持150 Mbps
　　传播延迟：典型值40 ns
　　脉冲宽度失真：≤5 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100 kV/μs（典型值）
　　电源电流（每通道）：2.5 mA（典型值）
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）电容结构
　　封装类型：8引脚SOIC宽体（SOIC-8WB）
　　爬电距离：>8 mm
　　电气间隙：>8 mm
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2

Si8920AD-ISO的核心特性之一是采用了Silicon Labs专有的电容隔离技术，通过在硅片上构建高可靠性的双层聚酰亚胺电容作为隔离屏障，实现输入与输出之间的电气隔离。这种结构不仅提供了卓越的耐压能力和长期稳定性，还具备良好的热稳定性与抗老化性能，确保器件在极端温度和湿度条件下仍能可靠运行。相比传统的光耦合器，Si8920AD-ISO无需发光二极管或光电晶体管，因此不存在LED老化导致性能下降的问题，显著提升了使用寿命和可靠性。
　　该器件具备出色的抗噪声能力，尤其是在高频开关环境中表现优异。其共模瞬态抗扰度（CMTI）指标超过100 kV/μs，意味着即使在快速变化的共模电压环境下（例如在逆变器或电机驱动中常见的dv/dt干扰），也能保持信号完整性，避免误触发或数据丢失。这一特性使其非常适合用于高功率电力电子系统中的栅极驱动信号隔离或反馈环路隔离。
　　Si8920AD-ISO支持高达150 Mbps的数据速率，远高于传统光耦，可满足现代高速通信协议的需求，如SPI通信、编码器反馈、数字传感器接口等。同时，其低传播延迟（典型值40 ns）和极小的脉冲宽度失真（≤5 ns）保证了时序精度，有助于提升控制系统响应速度和整体性能。
　　功耗方面，Si8920AD-ISO在正常工作状态下每通道仅消耗约2.5 mA电流，相较于传统光耦更加节能，有助于降低系统整体功耗并减少散热需求。此外，它支持宽电压供电（3.0V–5.5V）并兼容1.7V–5.5V的逻辑电平输入，便于与不同类型的微控制器、FPGA或ASIC直接连接，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　封装采用8引脚SOIC宽体（SOIC-8WB），具有大于8 mm的爬电距离和电气间隙，满足IEC 60664-1关于加强绝缘的要求，适用于功能隔离和基本绝缘场合。器件通过UL、CSA、VDE等多项国际安全认证，符合工业级和医疗设备的安全规范。

Si8920AD-ISO广泛应用于需要高可靠性电气隔离的工业与电力电子系统中。在电机驱动和伺服控制系统中，常用于隔离微控制器与IGBT或MOSFET栅极驱动器之间的控制信号，防止高压侧故障影响低压控制电路，同时提高系统的抗干扰能力。在光伏逆变器和储能系统中，该器件可用于隔离DC-DC转换器的反馈信号或MPPT控制器通信链路，保障人身安全并满足电网接入标准。
　　在工业自动化领域，Si8920AD-ISO适用于PLC模块、远程I/O系统、现场总线接口等设备中的数字信号隔离，尤其适合用于隔离RS-485、CAN、SPI、I2C等通信总线，以增强系统在强电磁干扰环境下的稳定性。其高速传输能力也使其成为编码器信号隔离的理想选择，可用于高精度位置检测系统。
　　在电动汽车充电基础设施中，该器件可用于充电桩内部控制板与交流/直流接口之间的信号隔离，确保操作人员安全并符合相关安规要求。此外，在医疗设备中，如病人监护仪或诊断仪器，Si8920AD-ISO可用于实现患者连接部分与主控系统之间的隔离，满足医疗电气安全标准（如IEC 60601-1）。
　　由于其宽温范围和高可靠性，该器件也可用于恶劣环境下的测量仪器、智能电表、工业传感器等应用，提供长期稳定的信号隔离解决方案。其小型化SOIC封装也有利于节省PCB空间，适应紧凑型设计需求。

Si8601BB-B-IS