型号：Si88640ED-IS
　　通道数：4
　　通道方向配置：3个通道一个方向，1个通道反向（3/1）
　　数据速率：最高150 Mbps
　　隔离电压：5000 V RMS（1分钟，符合UL 1577）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　供电电压（VDD1/VDD2）：2.7 V 至 5.5 V
　　传播延迟：典型值15 ns
　　脉冲宽度失真：典型值3 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100 kV/μs
　　安全认证：UL 1577、IEC 60747-5-2、VDE 0884-10（增强型隔离）
　　封装类型：SOIC-16（宽体）
　　爬电距离：>8 mm
　　介电强度：7000 VPK（1分钟）
　　局部放电：典型值 < 5 pC

Si88640ED-IS采用Silicon Labs专利的电容隔离技术，利用高频调制和差分电容耦合来传输数字信号，同时实现输入与输出之间的电气隔离。这种技术相较于传统的光耦合器具有显著优势，包括更高的数据速率、更低的功耗、更长的使用寿命以及更好的温度稳定性。由于没有LED老化问题，Si88640ED-IS在寿命期内性能保持稳定，避免了传统光耦因光衰导致的信号劣化问题。其CMOS工艺支持低静态电流，在高速运行时仍能保持高效能比，适用于对功耗敏感的设计。
　　该器件支持双电源供电，原边和副边可分别使用不同电压（2.7V至5.5V），便于与多种逻辑电平系统（如3.3V和5V）接口兼容。每个通道独立隔离，具备优异的通道间匹配性和时序一致性，确保多路信号同步传输的准确性。内部集成的刷新电路可自动检测并纠正低速或直流信号下的状态漂移，保证即使在无信号切换的情况下也能维持正确的输出状态，提升系统可靠性。
　　Si88640ED-IS通过了严格的国际安全认证，包括UL、CSA、VDE和IEC标准，支持增强型隔离等级，允许在更高电压系统中使用，提升系统安全性。其宽体SOIC-16封装提供了足够的爬电距离和电气间隙，满足工业设备对绝缘距离的要求。器件具备出色的抗电磁干扰能力，能在高噪声环境下稳定工作，适用于变频器、伺服驱动器和工业通信接口等复杂电磁环境中的信号隔离应用。

Si88640ED-IS广泛应用于需要高可靠性信号隔离的工业和电源系统中。在可编程逻辑控制器（PLC）中，常用于数字输入/输出模块的信号隔离，防止现场侧的高压或噪声干扰影响控制器核心电路。在电机驱动和逆变器系统中，该器件可用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM控制信号，确保功率级故障不会传导至控制端，保障系统安全。
　　在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，Si88640ED-IS可用于反馈环路的隔离通信，如配合隔离误差放大器或数字接口实现精确电压调节。其高速性能也使其适用于工业通信接口的隔离，例如RS-485、CAN总线和SPI/I2C隔离，提升通信的抗干扰能力和系统鲁棒性。
　　此外，该器件适用于测试与测量设备、医疗电子、能源管理系统和太阳能逆变器等领域，特别是在需要增强型隔离和高CMTI性能的场合表现突出。其高集成度和小尺寸封装有助于减少PCB面积，简化系统设计，提高整体系统的可靠性和安全性。

Si8641BB-B-IS