型号：SI88620BC-IS
　　制造商：Silicon Labs（Skyworks Solutions, Inc.）
　　通道数：2（双通道）
　　隔离电压：5000 V RMS（1分钟，UL 1577）
　　工作电压范围（VDD1/VDD2）：2.7 V 至 5.5 V
　　输出驱动电流：峰值拉电流/灌电流 ±4 A
　　传播延迟：典型值 55 ns
　　通道间延迟匹配：±5 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150 kV/μs（最小值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：16引脚SOIC宽体（0.3英寸）
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17、VDE 0884-10 VIORM = 1253 VPEAK
　　上升时间/下降时间：典型值 15 ns（10%至90%）
　　输入逻辑兼容性：CMOS/TTL 兼容
　　故障状态默认输出：高阻或低电平可配置（视具体型号后缀而定）

SI88620BC-IS具备卓越的电气隔离性能和强大的驱动能力，其核心优势在于采用了Silicon Labs先进的电容隔离技术，该技术基于标准CMOS工艺，在芯片内部构建高频调制信号传输通道，实现输入与输出之间的电气隔离。这种隔离方式相比传统的光耦合器具有更长的使用寿命、更高的数据传输速率以及更强的抗温漂和老化影响能力。每个通道均具备独立的隔离屏障，通道间的隔离不仅保证了信号完整性，还避免了串扰问题，尤其适合用于半桥或全桥拓扑中的上下管驱动。
　　该器件的输出级设计优化了动态响应特性，提供高达±4A的峰值输出电流，足以快速充放电功率器件的栅极电容，从而显著降低开关损耗并提升系统效率。其低传播延迟（典型55ns）和优异的通道间延迟匹配（±5ns以内）确保了在高频PWM控制下依然保持精确的时序控制，防止直通现象发生。此外，高达±150kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）使得芯片在存在剧烈电压跳变的环境中仍能稳定工作，如电机驱动中常见的高dV/dt场景。
　　SI88620BC-IS支持宽电源电压范围（2.7V–5.5V），兼容3.3V和5V逻辑系统，便于与各种微控制器、DSP或PWM控制器接口连接。内置欠压锁定（UVLO）保护机制，当次级侧供电电压低于阈值时自动关闭输出，防止因驱动不足导致的功率管非饱和导通。同时，芯片具备热关断保护功能，在结温过高时自动切断输出，增强系统安全性。其SOIC-16宽体封装符合IEC 60950和IEC 61010等安全规范要求，爬电距离和电气间隙满足高绝缘等级需求，适用于需要功能隔离或基本隔离的各种工业设备。

SI88620BC-IS广泛应用于各类需要高可靠性隔离驱动的电力电子系统中。在工业电机驱动领域，常用于三相逆变器中驱动IGBT或SiC MOSFET模块，配合MCU实现精准的矢量控制或DTC控制策略，提升能效与动态响应。在开关电源系统中，特别是在图腾柱PFC、LLC谐振变换器和硬开关全桥拓扑中，该芯片可作为主功率开关的驱动单元，确保高效且稳定的能量转换。
　　在新能源领域，SI88620BC-IS被广泛应用于光伏并网逆变器和储能系统中的DC-AC转换部分，利用其高CMTI能力和长期稳定性来应对复杂电磁环境下的运行挑战。此外，在电动汽车充电桩（EV Charger）的主控板上，该器件可用于驱动二次侧同步整流MOSFET或辅助电源中的功率开关，保障高压回路与低压控制电路之间的安全隔离。
　　其他典型应用还包括不间断电源（UPS）、伺服驱动器、感应加热设备以及工业机器人关节电机控制器等。由于其具备高温工作能力和抗干扰性能，特别适合部署在密闭空间或散热条件有限的环境中。同时，其小尺寸SOIC封装也利于PCB布局紧凑化设计，有助于缩小终端产品的体积并提升功率密度。

SI88621BC-IS
　　SI88622BC-IS
　　ADuM4223BRIZ
　　ISO6208CDRFR
　　UCC21520DWR