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SI88443BD-IS 发布时间 时间:2025/12/27 7:01:19 查看 阅读:15

Si88443BD-IS是Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能数字隔离器,专为工业自动化、电源管理以及通信系统等需要高可靠性和高抗扰度的应用场景而设计。该器件采用Silicon Labs独有的CMOS工艺和电容隔离技术,实现了优异的信号传输精度与隔离性能。Si88443BD-IS属于四通道数字隔离器,支持多种通道配置方向组合,具备高噪声抗扰能力,能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。其内部集成了高频调制/解调电路和差分电容隔离结构,能够有效抑制共模瞬态干扰(CMTI),确保数据在高速传输过程中的完整性。此外,该芯片还具备低功耗特性,适用于对能效有严格要求的应用场合。Si88443BD-IS采用宽体SOIC-16封装,符合UL、CSA、VDE等国际安全标准,支持高达5 kVRMS的隔离耐压,工作温度范围为-40°C至+125°C,适合在严苛工业环境下长期运行。

参数

类型:数字隔离器
  通道数:4
  通道方向配置:3个正向,1个反向
  隔离电压:5000 Vrms(UL 1577)
  工作电压:VDD = 2.7V 至 5.5V
  信号速率:最高可达150 Mbps
  传播延迟:典型值35 ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):>100 kV/μs
  绝缘电阻:>10^12 Ω
  介电强度:5000 Vrms 持续1分钟
  爬电距离:8.0 mm
  电气间隙:8.0 mm
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-16(宽体)

特性

Si88443BD-IS的核心技术基于Silicon Labs先进的电容隔离架构,利用高频载波调制技术将输入侧的数字信号转换为高频差分信号,通过集成在芯片内部的高耐压电容屏障进行跨隔离传输,再在输出端进行解调还原为原始数字信号。这种设计不仅实现了极高的信号完整性,而且在抗电磁干扰方面表现出色,尤其是在存在快速开关瞬变的电力电子系统中,其共模瞬态抗扰度(CMTI)超过100 kV/μs,远高于传统光耦合器,有效避免了因电压突变导致的误触发或信号失真问题。
  该器件支持高达150 Mbps的数据传输速率,使其适用于高速通信接口如SPI、I2C、UART、RS-485等协议的隔离需求,满足现代工业控制系统对实时性的要求。同时,其低传播延迟(典型35 ns)和通道间匹配性保证了多路信号同步传输的一致性,提升了系统的响应速度和控制精度。
  在可靠性方面,Si88443BD-IS无需外部偏置电流或上拉电阻,简化了外围电路设计,并避免了光耦因LED老化而导致的性能衰减问题,寿命更长且稳定性更高。其CMOS工艺制造也带来了更低的静态功耗,在待机或低负载状态下显著降低系统能耗,有助于实现绿色节能目标。
  安全认证方面,该器件通过了UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5等多种国际安全规范认证,支持系统级功能安全设计,可用于工业PLC、电机驱动器、逆变器、隔离式ADC/DAC接口等关键应用。其宽体SOIC-16封装提供了足够的爬电距离和电气间隙,增强了高压环境下的绝缘安全性。

应用

Si88443BD-IS广泛应用于各类需要电气隔离的工业与电力电子系统中。在工业自动化领域,常用于可编程逻辑控制器(PLC)的数字I/O模块,实现现场设备与控制单元之间的安全隔离,防止地环路干扰和高压窜入损坏主控芯片。在电机驱动系统中,该器件可用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM控制信号,保障低压控制电路不受功率桥臂开关噪声的影响。
  在开关电源与DC-DC转换器中,Si88443BD-IS可用于反馈环路中的信号隔离,例如配合隔离式误差放大器或数字控制器使用,提升电源系统的稳定性和抗干扰能力。在太阳能逆变器、电动汽车充电系统及储能系统中,该芯片可用于隔离传感器信号(如电流、电压采样)或通信总线(如CAN、RS-485),确保高压直流母线与低压监控电路之间的安全隔离。
  此外,该器件也适用于医疗电子设备中的信号隔离环节,满足医疗设备对电气安全和电磁兼容性的严格要求。在测试与测量仪器中,Si88443BD-IS可用于隔离高速数据采集通道,防止外部干扰影响测量精度。其高温工作能力和长期稳定性也使其成为恶劣环境下的理想选择,如油田、矿山、轨道交通等场景下的远程监控与控制系统。

替代型号

ADuM1401BRWZ
  ISO7741FDBQR
  MAX14850EASA+

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SI88443BD-IS参数

  • 现有数量0现货
  • 价格38 : ¥62.19132管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态不适用于新设计
  • 技术容性耦合
  • 类型通用
  • 隔离式电源
  • 通道数4
  • 输入 - 侧 1/侧 21/3
  • 通道类型单向
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)40kV/μs
  • 数据速率100Mbps
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)18ns,23ns
  • 脉宽失真(最大)7ns
  • 上升/下降时间(典型值)2.5ns,2.5ns
  • 电压 - 供电3V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装20-SOIC