时间：2025/12/27 6:45:13
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Si8710BC-B-IPR 是Silicon Labs（芯科科技）推出的一款高性能单通道数字光耦替代产品，属于Si87xx系列的隔离器。该器件采用先进的CMOS工艺与电容隔离技术，取代了传统基于LED和光电晶体管的光耦合器，具备更高的可靠性、更长的寿命以及更好的温度稳定性。Si8710BC-B-IPR通过在输入侧集成一个高频调制电路，在输出侧使用解调电路来恢复原始信号，实现高速、低功耗的信号隔离传输。该芯片广泛应用于工业自动化、电源管理、电机控制和通信系统中，适用于需要高抗噪能力和电气隔离的场合。其封装形式为4引脚SOIC-4窄体封装，符合UL 1577安全标准，并提供3.75 kVRMS的隔离电压，支持最高5 kV的浪涌耐压能力，满足多种工业级应用的安全规范要求。此外，该器件工作温度范围宽，适合在严苛环境中稳定运行。
型号：Si8710BC-B-IPR
制造商：Silicon Labs
通道数：1
方向：单向
数据速率：10 Mbps
供电电压（VCC）：2.7V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
隔离电压（RMS）：3.75 kVRMS
浪涌耐压：5 kV
共模瞬态抗扰度（CMTI）：50 kV/μs（最小值）
传播延迟：60 ns（最大值）
脉冲宽度失真：5 ns（最大值）
电流消耗（静态）：2.5 mA（典型值）
输出类型：推挽式（CMOS）
封装类型：SOIC-4（宽体）
认证：UL 1577，CSA，IEC 60747-5-2（VDE）
Si8710BC-B-IPR 的核心优势在于其基于硅基电容隔离技术的设计，相较于传统的光耦合器，避免了LED老化导致的性能衰减问题，从而显著提升了长期工作的稳定性和可靠性。该器件内部采用射频调制与解调机制，将输入端的逻辑信号转换为高频载波信号，通过高介电强度的二氧化硅（SiO?）绝缘层进行跨隔离传输，再在输出端还原为原始数字信号。这种架构不仅实现了高达10 Mbps的数据传输速率，还具备极低的传播延迟和出色的脉冲宽度一致性，适用于高速数字接口隔离场景。其推挽式CMOS输出结构可直接驱动后级逻辑电路，无需外部上拉电阻，简化了设计并降低了功耗。器件的共模瞬态抗扰度（CMTI）达到50 kV/μs以上，能够在存在强烈电磁干扰或快速电压变化的工业环境中保持信号完整性，防止误触发或数据丢失。
另一个关键特性是其宽电压工作范围（2.7V–5.5V），使得Si8710BC-B-IPR能够兼容多种逻辑电平系统，包括3.3V和5V TTL/CMOS接口，增强了系统的互操作性。同时，静态电流仅为2.5 mA左右，相比传统光耦动辄几毫安至十几毫安的偏置电流，大幅降低了整体功耗，尤其适合对能效有严格要求的应用。该器件的工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。此外，Si8710BC-B-IPR通过了UL、CSA和VDE等国际安全认证，满足IEC 60747-5-2标准对增强型隔离的要求，允许在医疗设备、工业控制系统等高安全性领域中使用。封装采用SOIC-4宽体设计，引脚间距大，爬电距离和电气间隙符合高压隔离要求，便于PCB布局并提升系统安全性。
Si8710BC-B-IPR 被广泛用于各类需要电气隔离的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块、现场总线接口和传感器信号隔离，以防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。在开关电源和DC-DC转换器中，该器件可用于反馈回路中的误差信号隔离，实现精确稳压控制，同时提高系统的抗噪声能力。电机驱动系统中也大量采用此类隔离器，用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM控制信号，保障低压控制侧免受高压功率侧的影响。此外，在电信基础设施设备如基站、光网络终端中，Si8710BC-B-IPR可用于数字通信接口的隔离，例如RS-485、CAN总线等，提升通信的可靠性和抗干扰性能。在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电系统中，该芯片可用于监测和控制电路的隔离，满足功能安全和绝缘等级要求。由于其高可靠性与长寿命，也被用于医疗电子设备中的信号隔离环节，确保患者安全和设备正常运行。总体而言，凡涉及高低压混合供电、远距离信号传输或强电磁干扰环境的应用，Si8710BC-B-IPR 都是一个理想的隔离解决方案选择。
Si8711BC-B-IPR
Si8712BC-B-IPR
ISO7721
ADuM1201
